Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2024, том 50, выпуск 22, страницы 7–10
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.22.59127.20037 (Mi pjtf6819) 		 
Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb

С. В. Сорокина, А. В. Малевская, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (980 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.22.59127.20037
Аннотация: Исследовано влияние материала, толщины и условий формирования проводящего слоя контакта на морфологию токосборных шин, фактор заполнения вольт-амперных характеристик и эффективность фотоэлектрического преобразователя на основе антимонида галлия.
Ключевые слова: омический контакт, проводящий слой, электрохимическое осаждение, фотоэлектрический преобразователь.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 24-29-20018
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 24-29-20018 (https://rscf.ru/en/project/24-29-20018/).
Поступила в редакцию: 25.06.2024
Исправленный вариант: 25.06.2024
Принята в печать: 13.07.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Сорокина, А. В. Малевская, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 7–10
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SorMalNak24}
\by С.~В.~Сорокина, А.~В.~Малевская, М.~В.~Нахимович, В.~П.~Хвостиков
\paper Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2024
\vol 50
\issue 22
\pages 7--10
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6819}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=74921588}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6819
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i22/p7
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:84
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026