Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон

На основе пленки PbSnTe:In/(111)BaF$_2$ впервые создан макет полевого транзистора со структурой металл–диэлектрик–полупроводник (МДП-транзистора) c подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$. При $T$ = 4.2 K под действием затворного напряжения -7.7 $<U_{gate}<$ +7.7 V относительное изменение тока сток–исток $\Delta I_{ds}/I_{ds}$ достигало $\sim$ 5 раз. При освещении малыми ($\sim$ 100 photon/s) потоками обнаружена отрицательная фотопроводимость с уменьшением $I_{ds}$ до $\sim$ 10$^4$ раз с одновременным уменьшением $\Delta I_{ds}$ до $\sim$ 10$^3$ раз и более. Оценка обнаружительной способности дала $\sim$ 7 $\cdot$ 10$^{16}$ cm $\cdot$ Hz$^{0.5}$ $\cdot$ W$^{-1}$ на длине волны $\lambda\sim$ 25 $\mu$m при времени накопления $\sim$ 0.5 s. Обсуждается качественная модель, предполагающая существование глубоких уровней ловушек и фотоемкостного эффекта.