Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2023, том 49, выпуск 6, страницы 16–20
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.06.54810.19404 (Mi pjtf6938) 		 
Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии

А. И. Барановab, А. В. Уваровab, А. А. Максимоваab, Е. А. Вячеславоваab, Н. А. Калюжныйc, С. А. Минтаировc, Р. А. Салийc, Г. Е. Яковлевb, В. И. Зубковb, А. С. Гудовскихab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (268 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.06.54810.19404
Аннотация: Изучалась структура с одиночной квантовой ямой GaP/InP/GaP толщиной 5 nm, выращенная методом газофазной эпитаксии на подложке $n$-GaP. Методом вольт-фарадных характеристик на изготовленных диодах Шоттки и методом электрохимического вольт-фарадного профилирования зарегистрирована аккумуляция электронов в квантово-размерном слое InP. Данные, полученные с помощью спектроскопии полной проводимости и нестационарной спектроскопии глубоких уровней, показали, что формирование квантовой ямы приводит к повышенному образованию дефектов в верхних слоях GaP c энергиями 0.21, 0.30 и 0.93 eV ниже дна зоны проводимости.
Ключевые слова: квантовая яма, вольт-фарадное профилирование, электрохимическое профилирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FSRM-2020-0004
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ (проект № FSRM-2020-0004).
Поступила в редакцию: 25.10.2022
Исправленный вариант: 10.01.2023
Принята в печать: 10.01.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. С. Гудовских, “Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023), 16–20
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarUvaMak23}
\by А.~И.~Баранов, А.~В.~Уваров, А.~А.~Максимова, Е.~А.~Вячеславова, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, Р.~А.~Салий, Г.~Е.~Яковлев, В.~И.~Зубков, А.~С.~Гудовских
\paper Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2023
\vol 49
\issue 6
\pages 16--20
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6938}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.06.54810.19404}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50409149}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6938
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v49/i6/p16
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025