Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm

Изготовлены оптимизированные фотопреобразователи на основе гетероструктур GaInP/GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии, для работы с лазерным излучением высокой мощности зелено-красного спектрального диапазона. Для формирования лицевой контактной сетки приборов исследованы контактные системы Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au. В результате фотопреобразователь лазерной линии с длиной волны 600 nm с Pd/Ge/Au-контактом демонстрировал КПД более 50% вплоть до плотности мощности падающего излучения 30 W/cm$^2$ с максимальным значением 54.4% при 7 W/cm$^2$.