Создание антиотражающего покрытия для оптического диапазона на основе слоя нанопористого германия, сформированного имплантацией ионами индия

Исследована возможность использования слоя нанопористого Ge, сформированного имплантацией ионами $^{115}$In$^+$ на подложке монокристаллического $c$-Ge, в качестве антиотражающего оптического покрытия (In:$P$Ge). Для этого была проведена ионная имплантация пластин $c$-Ge при энергии $E$ = 30 keV, плотности тока в ионном пучке $J$ = 5 $\mu$A/cm$^2$ и дозе $D$ = 1.8 $\cdot$ 10$^{16}$ ion/cm$^2$. Показано, что полученный губчатый слой In:$P$Ge, состоящий из переплетающихся нанонитей Ge, характеризуется низкой отражательной способностью ($\sim$5%) в широком оптическом спектральном диапазоне 250–1050 nm.