Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур

Экспериментально исследованы тепловые характеристики образцов SiC/Si, полученных методом согласованного замещения атомов, при различных толщинах SiC. Установлено, что при толщинах SiC, меньших 200 nm, тепловое сопротивление SiC/Si примерно равно 2 K/W, что совпадает с величиной для чистой подложки кремния. Такие образцы будут прекрасно отводить тепло от светоизлучающей гетероструктуры, выращенной на SiC/Si. При увеличении толщины SiC происходит отслоение пленки SiC, что приводит к потере теплового контакта между SiC и Si. Тепловое сопротивление возрастает при этом более чем на два порядка. Возможность легкого удаления непрозрачной части подложки может лечь в основу технологии изготовления светодиодных чипов flip-chip-конструкции.