Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов

Представлены первые результаты исследования двухканальных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием и системами чередующихся тонких слоев AlAs/GaAs, образующих дополнительные цифровые потенциальные барьеры. Показано, что из-за особенностей поперечного пространственного переноса электронов в предложенной конструкции при увеличении поверхностной плотности электронов с высокой подвижностью вдвое по сравнению с таковой для традиционных одноканальных двусторонне легированных гетероструктур даже в отсутствие цифровых барьеров всплеск дрейфовой скорости не уменьшается. Введение цифровых барьеров значительно повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при их влете в область сильного поля, приближая его в соответствующих гетероструктурах к теоретическому пределу для используемой модели – всплеску дрейфовой скорости в нелегированном объемном материале канала.