Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2023, том 49, выпуск 19, страницы 27–30
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2023.19.56269.19645 (Mi pjtf7084) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Резонансные характеристики сверхвысокочастотных фотонных кристаллов с включениями в виде проводящих нанослоев

А. В. Скрипаль, Д. В. Пономарев, В. Е. Шаронов

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, Саратов, Россия
PDF полного текста (297 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2023.19.56269.19645
Аннотация: Описаны теоретически и исследованы экспериментально резонансные характеристики одномерных фотонных кристаллов с нарушением периодичности, связанные с эффектом резонансного туннелирования микроволнового излучения через проводящий нанослой на частотах, меньших частоты плазменного резонанса. Эффект прозрачности на частоте дефектной моды достигается вследствие минимального уровня взаимодействия электромагнитного излучения с проводящим нанослоем при его размещении в узле напряженности электрического поля стоячей электромагнитной волны внутри нарушения фотонного кристалла.
Ключевые слова: фотонный кристалл, нанослой, резонансное туннелирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере 17308ГУ/2022
Программа стратегического академического лидерства Приоритет-2030
Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда содействия инновациям (проект 17308ГУ/2022 от 12.04.2022) и Министерства образования и науки РФ (в рамках программы стратегического академического лидерства “Приоритет 2030”).
Поступила в редакцию: 01.06.2023
Исправленный вариант: 24.07.2023
Принята в печать: 04.08.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Скрипаль, Д. В. Пономарев, В. Е. Шаронов, “Резонансные характеристики сверхвысокочастотных фотонных кристаллов с включениями в виде проводящих нанослоев”, Письма в ЖТФ, 49:19 (2023), 27–30
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SkrPonSha23}
\by А.~В.~Скрипаль, Д.~В.~Пономарев, В.~Е.~Шаронов
\paper Резонансные характеристики сверхвысокочастотных фотонных кристаллов с включениями в виде проводящих нанослоев
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2023
\vol 49
\issue 19
\pages 27--30
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7084}
\crossref{https://doi.org/10.61011/PJTF.2023.19.56269.19645}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=54764363}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7084
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v49/i19/p27
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:122
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026