Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2022, том 48, выпуск 2, страницы 34–36
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.02.51919.19012 (Mi pjtf7212) 		 
Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения

А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, М. В. Павлова, М. Ф. Панов, В. В. Трушлякова, Д. Д. Фирсов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (400 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.02.51919.19012
Аннотация: Разработана методика частотного анализа инфракрасного спектра отражения для определения толщин и порядка расположения слоев в эпитаксиальной структуре карбида кремния. Выполнены расчеты для эпитаксиальной структуры $4H$–$\mathrm{SiC}$. Показана высокая чувствительность метода к оптическим границам, возникшим в результате последовательного увеличения уровня легирования в процессе роста слоя.
Ключевые слова: карбид кремния, эпитаксиальный слой, ИК-отражение, спектр.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 03.G25.31.0243
Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (проект № 03.G25.31.0243).
Поступила в редакцию: 03.09.2021
Исправленный вариант: 22.09.2021
Принята в печать: 07.10.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, М. В. Павлова, М. Ф. Панов, В. В. Трушлякова, Д. Д. Фирсов, “Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения”, Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 34–36
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AfaZubIly22}
\by А.~В.~Афанасьев, В.~И.~Зубков, В.~А.~Ильин, В.~В.~Лучинин, М.~В.~Павлова, М.~Ф.~Панов, В.~В.~Трушлякова, Д.~Д.~Фирсов
\paper Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$--$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2022
\vol 48
\issue 2
\pages 34--36
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7212}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.02.51919.19012}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=47276870}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7212
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i2/p34
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025