Терагерцевая генерация в эпитаксиальных пленках InAs

Представлены результаты исследования генерации терагерцевого излучения в эпитаксиальных пленках InAs, синтезированных на полуизолирующих и сильнолегированных подложках GaAs, при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Показано, что терагерцевый эмиттер на основе эпитаксиальной пленки InAs, выращенной на сильнолегированной подложке GaAs $n$-типа, имеет такую же эффективность генерации терагерцевого излучения, как и в случае использования полуизолирующей подложки GaAs, но обладает значительно лучшим спектральным разрешением, которое определяется в основном параметрами оптической линии задержки и стабильностью фемтосекундного лазера.