|
Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора
Д. В. Гуляев, Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, А. К. Гутаковский, Е. А. Колосовский, К. С. Журавлев Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Аннотация:
Исследованы структурные и оптические характеристики гетероструктур с квантовыми ямами InGaAlAs/InAlAs, в которых четверной раствор получен посредством попеременного монослойного роста слоев InAlAs и InGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что полученные гетероструктуры перспективны для создания электроабсорбционных модуляторов на длину волны 1.55 $\mu$m c коэффициентом экстинкции более 20 dB при напряжении менее 4 V.
Ключевые слова:
электроабсорбционный модулятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы, эффект Штарка.
Поступила в редакцию: 29.03.2022 Исправленный вариант: 05.05.2022 Принята в печать: 17.05.2022
Образец цитирования:
Д. В. Гуляев, Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, А. К. Гутаковский, Е. А. Колосовский, К. С. Журавлев, “Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора”, Письма в ЖТФ, 48:13 (2022), 37–41
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7348 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i13/p37
|
|