Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах

Выполнено численное моделирование переключения высоковольтного GaAs-диода в проводящее состояние в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными. Показано, что эффект длительного (до 100 ns) самоподдержания проводящего состояния диода после переключения обусловлен возникновением в электронно-дырочной плазме узких (порядка микрометра) ионизирующих доменов Ганна – так называемых коллапсирующих доменов. Ударная ионизация в коллапсирующих доменах и в краевых (катодном и анодном) доменах сильного электрического поля ($\sim$ 300 kV/cm) поддерживает высокую концентрацию неравновесных носителей ($\ge$ 10$^{17}$ сm$^{-3}$) в течение всей длительности импульса приложенного напряжения обратной полярности.