|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, В. П. Хвостиков, М. В. Нахимович, А. С. Власов, В. И. Васильев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Продемонстрирована возможность изготовления структур фотоэлектрического преобразователя за счет твердофазных реакций замещения атомов Sb в полупроводниковых пластинах GaSb атомами As или P с одновременной диффузией Zn.
Ключевые слова:
твердофазные реакции замещения, фотоэлектрические преобразователи, широкозонное окно, $p$–$n$-переход, легирование.
Поступила в редакцию: 12.07.2022 Исправленный вариант: 12.07.2022 Принята в печать: 29.08.2022
Образец цитирования:
Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, В. П. Хвостиков, М. В. Нахимович, А. С. Власов, В. И. Васильев, “Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения”, Письма в ЖТФ, 48:21 (2022), 3–5
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7427 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i21/p3
|
|