|
Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
Д. А. Алмаевa, А. В. Алмаевba, В. В. Копьевa, В. И. Николаевcd, А. И. Печниковc, С. И. Степановc, М. Е. Бойкоc, П. Н. Бутенкоac, М. П. Щегловc a Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
b ООО "Фокон", Калуга, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
d ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры $\alpha$-Ga$_2$O$_3$/$\alpha$-Cr$_2$O$_3$ со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры $\alpha$-Ga$_2$O$_3$/$\alpha$-Cr$_2$O$_3$ демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения.
Ключевые слова:
оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.
Поступила в редакцию: 25.07.2022 Исправленный вариант: 28.09.2022 Принята в печать: 29.09.2022
Образец цитирования:
Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. В. Копьев, В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, М. Е. Бойко, П. Н. Бутенко, М. П. Щеглов, “Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда”, Письма в ЖТФ, 48:22 (2022), 24–27
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7444 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i22/p24
|
|