Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Экспериментально исследовано влияние температуры подложки и потока адатомов In на структурные и оптические характеристики массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью. Повышение температуры подложки в условиях высокого потока адатомов In способствует усилению их поверхностной миграции и некоторому снижению плотности массива квантовых точек до уровня $\sim$ (1–2) $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$, однако при этом наблюдается существенный коротковолновый сдвиг спектра фотолюминесценции, несмотря на увеличение латеральных размеров точек. Уменьшение падающего потока адатомов In при оптимальных температурах подложки позволяет более эффективно уменьшить плотность точек (до уровня $\sim$ (1–2) $\cdot$ 10$^9$ cm$^{-2}$), а также сместить спектр фотолюминесценции точек в длинноволновую область (до $\sim$ 1200 nm при температуре измерений 10 K).