Д. А. Бауман, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, П. А. Богданов, А. Ю. Иванов, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. Ф. Цацульников, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, “Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 57

Письма в Журнал технической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2025, том 51, выпуск 5, страницы 57–60
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.05.59907.20137 (Mi pjtf7514)

Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm

Д. А. Бауман^a, Д. Ю. Панов^a, В. А. Спиридонов^a, П. А. Богданов^a, А. Ю. Иванов^a, В. В. Лундин^b, Е. Ю. Лундина^c, А. Ф. Цацульников^bd, А. Е. Романов^ab, П. Н. Брунков^b

^a Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c ООО "Монолюм", Санкт-Петербург, Россия
^d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия

PDF полного текста (246 kB)

DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.05.59907.20137

Аннотация: Методом Чохральского выращены объемные кристаллы оксида галлия $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированные железом. Анализ спектров рентгеновской дифракции подтвердил присутствие только $\beta$-фазы и высокое кристаллическое качество. Измеренное удельное сопротивление составило 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm.

Ключевые слова: объемные кристаллы, оксид галлия, полуизолирующие подложки.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	24-12-00229
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 24-12-00229).

Поступила в редакцию: 02.10.2024
Исправленный вариант: 05.11.2024
Принята в печать: 08.11.2024

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Д. А. Бауман, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, П. А. Богданов, А. Ю. Иванов, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. Ф. Цацульников, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, “Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 57–60

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{BauPanSpi25}

\by Д.~А.~Бауман, Д.~Ю.~Панов, В.~А.~Спиридонов, П.~А.~Богданов, А.~Ю.~Иванов, В.~В.~Лундин, Е.~Ю.~Лундина, А.~Ф.~Цацульников, А.~Е.~Романов, П.~Н.~Брунков

\paper Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm

\jour Письма в ЖТФ

\yr 2025

\vol 51

\issue 5

\pages 57--60

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7514}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=80597223}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7514

https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v51/i5/p57

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы