|
|
Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 3, страницы 8–16
(Mi pjtf7616)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Измерение толщины полупроводниковых подложек в условиях нестационарной температуры с использованием низкокогерентного тандемного интерферометра
П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Предложен оригинальный метод измерения малых изменений толщины полупроводниковых структур в условиях нестационарной температуры, использующий принцип низкокогерентной тандемной интерферометрии. Достигнуто разрешение $\pm$ 2$^\circ$C по температуре и $\pm$ 2 nm по толщине.
Поступила в редакцию: 28.07.2014
Образец цитирования:
П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, “Измерение толщины полупроводниковых подложек в условиях нестационарной температуры с использованием низкокогерентного тандемного интерферометра”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 8–16; Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 110–112
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7616 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i3/p8
|
|