|
|
Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 3, страницы 17–25
(Mi pjtf7617)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы
Д. А. Богдановab, А. В. Бобыльa, Е. И. Теруковac, В. Н. Вербицкийa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассмотрена эффективность фотоэлектрических модулей (на основе $c$-Si кристаллического и $\alpha$-Si/$\mu c$-Si тандемного тонкопленочного) в зависимости от параметров атмосферы в условиях повышенной влажности и облачности, которая проявляет себя посредством соответствующих зависимостей спектрального распределения солнечного излучения. Экспериментально установлено, что в этих условиях мощность на ватт установленной мощности выше у модулей на основе $\alpha$-Si/$\mu c$-Si: 1) при низких значениях освещенности (до 150 W/m$^2$) за счет их более высокой чувствительности в коротковолновой части спектра, 2) при высоких значениях (более 400 W/m$^2$) – за счет меньшей величины температурной зависимости КПД.
Поступила в редакцию: 16.07.2014
Образец цитирования:
Д. А. Богданов, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, “Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 17–25; Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 113–116
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7617 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i3/p17
|
|