Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 3, страницы 81–87 (Mi pjtf7625)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры

В. М. Лукашинa, А. Б. Пашковскийa, В. Г. Лапинa, С. В. Щербаковa, К. С. Журавлевb, А. И. Тороповb, А. А. Капраловаa

a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (133 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных гетероструктурных полевых транзисторов, работающих при нулевом смещении на затворе. Транзисторы при длине Г-образного затвора около 0.3 $\mu$m с шириной 0.8 mm на частоте 10 GHz в импульсном режиме при напряжениях на затворе в диапазоне от +0.2 до -0.2 V демонстрируют удельную мощность более 1.6 W/mm при коэффициенте усиления более 11 dB и КПД по добавленной мощности более 40%.
Поступила в редакцию: 04.09.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 2, Pages 142–145
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501502008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 81–87; Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 142–145
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukPasLap15}
\by В.~М.~Лукашин, А.~Б.~Пашковский, В.~Г.~Лапин, С.~В.~Щербаков, К.~С.~Журавлев, А.~И.~Торопов, А.~А.~Капралова
\paper Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 3
\pages 81--87
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7625}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196322}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 2
\pages 142--145
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501502008X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7625
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i3/p81
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025