Анализ концентрации дрейфующих электронов в ионном диоде с магнитной самоизоляцией

Представлены результаты анализа концентрации дрейфующих электронов в ионном диоде с магнитной самоизоляцией. Исследования выполнены на ускорителе ТЕМП-4М в режиме формирования сдвоенных разнополярных импульсов – первый отрицательный (300–600 ns, 150-200 kV) и второй положительный (120 ns, 250–300 kV). Показано, что концентрация электронов в области дрейфа составляет 10$^{13}$–10$^{14}$ cm$^{-3}$. Получено, что сила Лоренца, действующая на электроны в скрещенном электрическом и магнитном полях, в 150–200 раз больше силы их кулоновского расталкивания. Это обеспечивает их большую концентрацию в области дрейфа, превышающую концентрацию в области пространственного заряда.