Образование нитридов на поверхности монокристаллического GaAs в криогенной жидкости при облучении ультразвуком

Представлен разработанный авторами и успешно примененный метод структурирования поверхности полупроводника, в основе которого лежит применение явления кавитации, возбужденной в жидкости сфокусированным ультразвуком. Установлено, что на поверхности образцов монокристаллического (001) GaAs, помещенного в жидкий азот, в котором при помощи сфокусированных ультразвуковых колебаний частотой $\sim$ 1 МHz и мощностью $\sim$ 15 W/cm$^2$ возбуждалось явление кавитации, образуется субмикронный рельеф-волнообразные и концентрические структуры высотой до 300 nm с небольшими округлыми выпуклостями. Данные спектров комбинационного рассеивания и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии подтверждают образование соединения GaAs$_{1-x}$N$_x$ с содержанием азота на уровне 5–7%.