Электрическая пассивация поверхности кремния полиэлектролитным покрытием

Исследовано влияние монослоя катионного полиэлектролита на электрофизические параметры монокристаллического кремния с дырочным типом проводимости и разным уровнем легирования. Показано, что для $p$-Si метод фотостимулированной адсорбции полиэлектролита позволяет дополнительно уменьшить эффективную плотность поверхностных электронных состояний на порядок по сравнению с пассивацией в результате адсорбции полиэлектролита в темноте, при этом максимальные изменения наблюдаются для характеристических времен “быстрых” состояний в $p$-Si с более высоким уровнем легирования.