Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 5, страницы 9–17 (Mi pjtf7644)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса

В. В. Лундинab, Д. В. Давыдовab, Е. Е. Заваринab, М. Г. Поповb, А. В. Сахаровab, Е. В. Яковлевc, Д. С. Базаревскийc, Р. А. Талалаевc, А. Ф. Цацульниковab, М. Н. Мизеровb, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c OOO "Софт-Импакт", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (400 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Представлены результаты по оптимизации технологии МОС-гидридной эпитаксии III–N светодиодных гетероструктур в установке Dragon-125 с целью ускорения технологического цикла. За счет достижения высокой скорости роста слоев GaN и оптимизации начальной фазы роста GaN полная длительность эпитаксиального процесса уменьшена с 4 h 45 min до 2 h 44 min. Выращенные по разработанной технологии светодиодные структуры не уступают по качеству выращенным по стандартной технологии на коммерчески доступной установке AIX2000HT.
Поступила в редакцию: 12.09.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 3, Pages 213–216
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015030116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Лундин, Д. В. Давыдов, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, А. В. Сахаров, Е. В. Яковлев, Д. С. Базаревский, Р. А. Талалаев, А. Ф. Цацульников, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 9–17; Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 213–216
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunDavZav15}
\by В.~В.~Лундин, Д.~В.~Давыдов, Е.~Е.~Заварин, М.~Г.~Попов, А.~В.~Сахаров, Е.~В.~Яковлев, Д.~С.~Базаревский, Р.~А.~Талалаев, А.~Ф.~Цацульников, М.~Н.~Мизеров, В.~М.~Устинов
\paper МОС-гидридная эпитаксия III--N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 5
\pages 9--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7644}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196342}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 3
\pages 213--216
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015030116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7644
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i5/p9
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025