Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 5, страницы 84–90 (Mi pjtf7653)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Пластины кристаллического GaN большой площади

М. Г. Мынбаеваabc, А. И. Печниковabc, А. А. Ситниковаabc, Д. А. Кириленкоabc, А. А. Лаврентьевabc, Е. В. Ивановаabc, В. И. Николаевabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (847 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Газофазным осаждением на керамическую основу с покрытием из гексагонального нитрида бора получены пластины кристаллического нитрида галлия большой площади (до 100 cm$^2$). После шлифовки и полировки образцов, вырезанных из пластин, выполнена характеризация материала. Как установлено, материал пластин являлся полупроводником с электронным типом проводимости; оптические, теплофизические и механические свойства материала были близки к свойствам монокристаллического нитрида галлия, получаемого иными методами роста.
Поступила в редакцию: 27.10.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 3, Pages 246–248
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501503013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Г. Мынбаева, А. И. Печников, А. А. Ситникова, Д. А. Кириленко, А. А. Лаврентьев, Е. В. Иванова, В. И. Николаев, “Пластины кристаллического GaN большой площади”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 84–90; Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 246–248
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MynPecSit15}
\by М.~Г.~Мынбаева, А.~И.~Печников, А.~А.~Ситникова, Д.~А.~Кириленко, А.~А.~Лаврентьев, Е.~В.~Иванова, В.~И.~Николаев
\paper Пластины кристаллического GaN большой площади
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 5
\pages 84--90
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7653}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196351}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 3
\pages 246--248
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501503013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7653
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i5/p84
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025