Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов

С позиций термодинамики химических реакций рассчитано равновесное состояние в системе из трех элементов: кремния Si, углерода С и кислорода О. Показано, что в актуальной области температур 1000$^\circ$C $<T<$ 1400$^\circ$C система, которая в начальный момент времени состоит из кристаллического Si и газа CO, стремится к равновесному состоянию из смеси четырех твердых фаз Si, C, SiC, SiO$_2$ и равновесного пара над ними, состоящего в основном из SiO, CO, Si, CO$_2$. Рассчитаны равновесные парциальные давления всех газов. Предложен оптимальный режим роста пленок SiC из Si методом замещения атомов, при котором растет только одна фаза SiC, а SiO$_2$ и С не образуются.