Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 8, страницы 9–17 (Mi pjtf7687)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ловушек монокристаллов $n$-GaAs

Ф. С. Габибовa, Е. М. Зобовa, М. Е. Зобовa, С. П. Крамынинa, Е. Г. Пашукa, Ш. А. Халиловb

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала
b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
PDF полного текста (141 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Изучено влияние ультразвуковой обработки на фото-, термоэлектрические свойства монокристаллов $n$-GaAs, обусловленных электронными ловушками. Впервые показано, что ультразвуковая обработка приводит к изменению спектров фотопроводимости и термостимулированного тока в $n$-GaAs. Обсуждается возможный механизм воздействия ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ловушек.
Поступила в редакцию: 13.04.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 4, Pages 362–365
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015040239
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. С. Габибов, Е. М. Зобов, М. Е. Зобов, С. П. Крамынин, Е. Г. Пашук, Ш. А. Халилов, “Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ловушек монокристаллов $n$-GaAs”, Письма в ЖТФ, 41:8 (2015), 9–17; Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 362–365
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GabZobZob15}
\by Ф.~С.~Габибов, Е.~М.~Зобов, М.~Е.~Зобов, С.~П.~Крамынин, Е.~Г.~Пашук, Ш.~А.~Халилов
\paper Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ловушек монокристаллов $n$-GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 8
\pages 9--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7687}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196385}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 4
\pages 362--365
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015040239}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7687
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i8/p9
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025