Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 9, страницы 71–79 (Mi pjtf7710)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

Р. В. Григорьевa, И. В. Штромabc, Н. Р. Григорьеваa, Б. В. Новиковa, И. П. Сошниковbcde, Ю. Б. Самсоненкоbdc, А. И. Хребтовb, А. Д. Буравлевadc, Г. Э. Цырлинadcf

a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
b Санкт-Петербургский Академический университет РАН
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
f Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
PDF полного текста (547 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Представлены исследования фотоэлектрических свойств массива GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As ($x\approx$ 0.3) аксиальных нитевидных нанокристаллов $n$-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на $p$-типа кремниевой подложке. Выявлена возможность эффективного разделения зарядов в широком спектральном диапазоне (от 450 до 1100 nm), что актуально для создания активного элемента в фотоприемных устройствах и солнечных батареях.
Поступила в редакцию: 04.11.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 5, Pages 443–447
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015050077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015), 71–79; Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 443–447
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriShtGri15}
\by Р.~В.~Григорьев, И.~В.~Штром, Н.~Р.~Григорьева, Б.~В.~Новиков, И.~П.~Сошников, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, А.~Д.~Буравлев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 9
\pages 71--79
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7710}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196408}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 5
\pages 443--447
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015050077}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7710
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i9/p71
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025