Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 13, страницы 16–24 (Mi pjtf7760)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Моделирование антиотражающих свойств композиционных материалов на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

Л. И. Горайab, А. Д. Буравлевcbde, С. А. Поняевcf

a Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
b Академический университет, Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
e Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
f Военно-космическая академия им. А. Ф. Можайского, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (320 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: С помощью теории эффективной среды (ТЭС) впервые продемонстрирована возможность применения пленок композиционных материалов на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) для уменьшения отражения электромагнитного излучения радиоволнового диапазона. Показано, что коэффициенты отражения однослойной модели могу быть уменьшены в несколько раз, а двухслойной – до двух порядков в широком диапазоне параметров. Совпадение данных ТЭС с результатами расчетов, полученных строгим методом, позволяет применять ТЭС 0-го порядка для анализа и синтеза антиотражающих композиционных материалов на основе ННК.
Поступила в редакцию: 04.02.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 7, Pages 624–627
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015070081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. И. Горай, А. Д. Буравлев, С. А. Поняев, “Моделирование антиотражающих свойств композиционных материалов на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 16–24; Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 624–627
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorBouPon15}
\by Л.~И.~Горай, А.~Д.~Буравлев, С.~А.~Поняев
\paper Моделирование антиотражающих свойств композиционных материалов на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 13
\pages 16--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7760}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196460}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 7
\pages 624--627
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015070081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7760
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i13/p16
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025