Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 13, страницы 72–78 (Mi pjtf7767)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge

В. Я. Алешкинab, Н. В. Дикареваc, А. А. Дубиновab, Б. Н. Звонковc, К. Е. Кудрявцевab, С. М. Некоркинc, А. В. Новиковab, П. А. Юнинab, Д. В. Юрасовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (293 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs, выращенной на подложке Si с релаксированным буферным слоем Ge. При достижении величины плотности мощности возбуждения 35 kW/cm$^2$ при температуре жидкого азота наблюдалось несколько линий стимулированного излучения в диапазоне энергий 1350–1360 meV.
Поступила в редакцию: 17.11.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 7, Pages 648–650
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015070020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 72–78; Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 648–650
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDikDub15}
\by В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Дикарева, А.~А.~Дубинов, Б.~Н.~Звонков, К.~Е.~Кудрявцев, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Новиков, П.~А.~Юнин, Д.~В.~Юрасов
\paper Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 13
\pages 72--78
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7767}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196468}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 7
\pages 648--650
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015070020}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7767
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i13/p72
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025