|
|
Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 13, страницы 86–94
(Mi pjtf7769)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
Н. В. Крыжановскаяab, М. В. Лебедевc, Т. В. Львоваc, Ю. В. Кудашоваa, И. И. Шостакa, Э. И. Моисеевab, А. Е. Жуковabd, М. В. Максимовabc, М. М. Кулагинаc, А. М. Надточийa, С. И. Трошковc, А. А. Блохинb, М. А. Бобровc a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский научный центр РАН
Аннотация:
Была использована сульфидная пассивация для уменьшения скорости поверхностной безызлучательной рекомбинации в микродисковых мезах на основе гетероструктур (AlGaIn)As/GaAs, активная область которых была сформирована либо из 10 квантовых ям GaAs/AlAs, либо из одного слоя квантовых точек InAs/In$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As. Показано, что пассивация приводит к существенному возрастанию интенсивности фотолюминесценции во всех типах мезаструктур.
Поступила в редакцию: 10.02.2015
Образец цитирования:
Н. В. Крыжановская, М. В. Лебедев, Т. В. Львова, Ю. В. Кудашова, И. И. Шостак, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, М. М. Кулагина, А. М. Надточий, С. И. Трошков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, “Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 86–94; Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 654–657
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7769 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i13/p86
|
|