Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 14, страницы 16–24 (Mi pjtf7774)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au

В. В. Путролайнен, А. А. Величко, П. П. Борисков, А. Л. Пергамент, Г. Б. Стефанович, Н. А. Кулдин

Петрозаводский государственный университет
PDF полного текста (496 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследовано резистивное переключение с памятью двойной оксидной структуры Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au, полученной методом реактивного магнетронного напыления. Предложена физическая модель, объясняющая формирование переключательной структуры с образованием наноразмерного кремниевого канала в SiO$_2$ и обратимой модуляцией проводимости тонкого оксидно-ванадиевого слоя вблизи границы канала. Проведена оценка радиуса кремниевого канала из результатов расчета на основе уравнения теплопроводности и АСМ-анализа.
Поступила в редакцию: 26.02.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 7, Pages 672–675
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015070287
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Путролайнен, А. А. Величко, П. П. Борисков, А. Л. Пергамент, Г. Б. Стефанович, Н. А. Кулдин, “Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au”, Письма в ЖТФ, 41:14 (2015), 16–24; Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 672–675
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PutVelBor15}
\by В.~В.~Путролайнен, А.~А.~Величко, П.~П.~Борисков, А.~Л.~Пергамент, Г.~Б.~Стефанович, Н.~А.~Кулдин
\paper Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si--SiO$_2$--V$_2$O$_5$--Au
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 14
\pages 16--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7774}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196475}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 7
\pages 672--675
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015070287}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7774
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i14/p16
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025