|
|
Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 17, страницы 18–26
(Mi pjtf7818)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WO$_x$/SiC
В. В. Зуевa, М. В. Деминa, В. Ю. Фоминскийa, Р. И. Романовa, В. В. Григорьевa, В. Н. Неволинb a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Показано, что при повышенных температурах ($\sim$ 350$^\circ$C) наиболее выраженный отклик на H$_2$ тонкопленочной структуры Pt/WO$_x$/SiC достигается при регистрации изменения напряжения на обратной ветви вольт-амперной кривой. Сравнительные исследования токопрохождения сквозь структуру и по ее поверхности (с нанесенной пленкой Pt) позволили установить, что изменение свойств интерфейсов Pt/WO$_x$ и WO$_x$/SiC под воздействием H$_2$ во многом определяет эффективность отклика структуры при использовании "поперечной" геометрии измерения. Для 2%-й концентрации H$_2$ в воздухе величина уменьшения напряжения на обратной ветви для тока $\sim$ 10 $\mu$A достигала 5 V против 2 V на прямой ветви и при “планарной” геометрии измерений.
Поступила в редакцию: 30.03.2015
Образец цитирования:
В. В. Зуев, М. В. Демин, В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, В. В. Григорьев, В. Н. Неволин, “Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WO$_x$/SiC”, Письма в ЖТФ, 41:17 (2015), 18–26; Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 824–827
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7818 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i17/p18
|
|