Повышение эффективности кремниевого туннельного МДП-инжектора горячих электронов при использовании оксидов с большой диэлектрической проницаемостью

Теоретически показано, что при замене диоксида кремния в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) двухслойным изолятором HfO$_2$(ZrO$_2$)/SiO$_2$ должно происходить уменьшение относительного вклада электронов со сравнительно малыми энергиями в полный туннельный ток. Как следствие, для многих режимов предсказывается подавление компоненты тока, связанной с переносом заряда в валентную зону Si или из нее, особенно низкоэнергетической части данной компоненты. Это может повысить эффективность инжекционных приборов, таких как транзистор с туннельным МДП-эмиттером или резонансно-туннельный диод на основе сильнолегированной МДП-структуры.