Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 18, страницы 82–88 (Mi pjtf7840)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, С. В. Сорокин, Е. В. Контрош, Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (246 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлены результаты оптимизации конструкции и технологии роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур туннельных диодов (ТД) N-AlGaAs : Si/n$^+$-GaAs : Si/p$^+$-GaAs : Be/P-AlGaAs:Be. Достигнутый уровень пикового тока $J_p$ = 513 A/cm$^2$ позволяет использовать полученный ТД для соединения каскадов как в структурах многопереходных солнечных элементов, так и в структурах туннельно-связанных лазерных диодов. Наблюдающаяся нелинейность начального хода ВАХ объясняется остаточным потенциальным барьером в изотипном $p^+$–$P$–$p^+$-гетеропереходе, ограничивающим активную область ТД, вследствие неоптимального легирования твердого раствора Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As.
Поступила в редакцию: 27.04.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 9, Pages 905–908
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015090229
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, С. В. Сорокин, Е. В. Контрош, Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, С. В. Иванов, “Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015), 82–88; Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 905–908
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KliKomSor15}
\by Г.~В.~Климко, Т.~А.~Комиссарова, С.~В.~Сорокин, Е.~В.~Контрош, Н.~М.~Лебедева, А.~А.~Усикова, Н.~Д.~Ильинская, В.~С.~Калиновский, С.~В.~Иванов
\paper Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 18
\pages 82--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7840}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196527}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 9
\pages 905--908
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015090229}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7840
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i18/p82
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025