Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 19, страницы 81–89 (Mi pjtf7854)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$

А. И. Беловa, А. Н. Михайловa, Д. С. Королевa, В. А. Сергеевa, Е. В. Окуличa, И. Н. Антоновa, А. П. Касаткинa, Е. Г. Грязновab, А. П. Ятмановb, О. Н. Горшковa, Д. И. Тетельбаумa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова, Нижний Новгород
PDF полного текста (230 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Для мемристивных структур Au/SiO$_x$/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, изучено воздействие облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ с энергией 150 keV. Показано, что при облучении H$^+$ состояния с низким и высоким сопротивлением не меняются до дозы 1 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, а в случае облучения ионами Ne$^+$ – до дозы $\sim$ 3 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$. Полученные результаты демонстрируют высокую стойкость параметров исследуемых мемристивных структур как к ионизирующему, так и к дефектообразующему радиационному воздействию.
Поступила в редакцию: 05.05.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 10, Pages 957–960
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501510003X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. С. Королев, В. А. Сергеев, Е. В. Окулич, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Е. Г. Грязнов, А. П. Ятманов, О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум, “Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$”, Письма в ЖТФ, 41:19 (2015), 81–89; Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 957–960
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelMikKor15}
\by А.~И.~Белов, А.~Н.~Михайлов, Д.~С.~Королев, В.~А.~Сергеев, Е.~В.~Окулич, И.~Н.~Антонов, А.~П.~Касаткин, Е.~Г.~Грязнов, А.~П.~Ятманов, О.~Н.~Горшков, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах ``металл--диэлектрик--металл'' на основе SiO$_x$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 19
\pages 81--89
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7854}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196542}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 10
\pages 957--960
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501510003X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7854
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i19/p81
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025