|
|
Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 20, страницы 24–29
(Mi pjtf7861)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло
Е. Королеваab, А. Набережновab, V. Nizhankovskiic, П. Ванинаb, А. Сысоеваa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Gajowicka 95, 53-421 Wroclaw, Poland
Аннотация:
Исследовано влияние внешнего магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в наночастицах KH$_2$PO$_4$, полученных при введении в макропористое магнитное стекло со средним диаметром пор 50 nm. Показано, что в магнитном поле 10 T температура сегнетоэлектрического перехода повышается примерно на 6 K.
Поступила в редакцию: 14.05.2015
Образец цитирования:
Е. Королева, А. Набережнов, V. Nizhankovskii, П. Ванина, А. Сысоева, “Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 24–29; Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 981–983
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7861 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i20/p24
|
|