Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 20, страницы 24–29 (Mi pjtf7861)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло

Е. Королеваab, А. Набережновab, V. Nizhankovskiic, П. Ванинаb, А. Сысоеваa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Gajowicka 95, 53-421 Wroclaw, Poland
Аннотация: Исследовано влияние внешнего магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в наночастицах KH$_2$PO$_4$, полученных при введении в макропористое магнитное стекло со средним диаметром пор 50 nm. Показано, что в магнитном поле 10 T температура сегнетоэлектрического перехода повышается примерно на 6 K.
Поступила в редакцию: 14.05.2015
Английская версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 10, Pages 981–983
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015100235
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Королева, А. Набережнов, V. Nizhankovskii, П. Ванина, А. Сысоева, “Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 24–29; Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 981–983
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorNabNiz15}
\by Е.~Королева, А.~Набережнов, V.~Nizhankovskii, П.~Ванина, А.~Сысоева
\paper Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 20
\pages 24--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7861}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196551}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 10
\pages 981--983
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015100235}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7861
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i20/p24
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025