Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 20, страницы 74–81 (Mi pjtf7868)  
Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений

В. В. Лундинab, Е. Е. Заваринab, М. Г. Поповab, С. И. Трошковb, А. В. Сахаровab, И. П. Смирноваab, М. М. Кулагинаb, В. Ю. Давыдовb, А. Н. Смирновb, А. Ф. Цацульниковab

a НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (3146 kB)
Аннотация: Сильнолегированные кремнием мезаполосковые структуры Al$_x$Ga$_{1-x}$N формировались методом селективной газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При $x\sim$ 0.01–0.07 мезаструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si имели качественно более гладкую поверхность верхней и боковых граней, чем GaN : Si. При $x\sim$ 0.03–0.07 в процессе роста на поверхности маски Si$_3$N$_4$ осаждался тонкий слой нанокристаллического AlN. При меньшем содержании Al этот слой не наблюдался.
Поступила в редакцию: 19.04.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2015, Volume 41, Issue 10, Pages 1006–1009
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785015100247
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, И. П. Смирнова, М. М. Кулагина, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 74–81; Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 1006–1009
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunZavPop15}
\by В.~В.~Лундин, Е.~Е.~Заварин, М.~Г.~Попов, С.~И.~Трошков, А.~В.~Сахаров, И.~П.~Смирнова, М.~М.~Кулагина, В.~Ю.~Давыдов, А.~Н.~Смирнов, А.~Ф.~Цацульников
\paper Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2015
\vol 41
\issue 20
\pages 74--81
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7868}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196559}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2015
\vol 41
\issue 10
\pages 1006--1009
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785015100247}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7868
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i20/p74
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025