Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований

Аморфные пленки композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ были получены с применением плазмы на постоянном токе путем изменения времени включения и выключения ее разряда. Электронное строение и фазовый состав приповерхностных слоев пленок были изучены с применением метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения. Качественный и полуколичественный анализ фазового состава, проведенный при помощи специальной методики компьютерного моделирования, показал, что содержание кластеров $a$-Si:H в пленке SiO$_2$ с помощью изменения времени включения плазмы на постоянном токе можно регулировать в широких пределах. Замечено, что появление большого количества нанокластеров кремния в пленке (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ приводит к аномальному поведению спектров поглощения в результате взаимодействия синхротронного излучения с нанокластерами, размеры которых сопоставимы с длиной волны в области этого края.