Синтез тонких пленок $a$-SiO$_x$:H методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой

Впервые синтезированы тонкие пленки $a$-SiO$_x$:H методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой. Скорость роста уменьшалась с 2 до 1.15 nm/s при увеличении температуры подложки от комнатной до 415$^\circ$C, при этом концентрация водорода уменьшилась с 12.5 до 4.2%, а концентрация кислорода увеличилась с 14.5 до 20.8%. Уменьшение концентрации водорода связано с увеличением эффузии и температурной десорбции. Спектры комбинационного рассеяния света полученных пленок показали типичную аморфную структуру для связей Si–Si.