Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура переходного слоя между гексагональной подложкой (6H-SiC и 4H-SiC) и кубическим слоем карбида кремния, выращенным сублимационной эпитаксией в вакууме. Показано, что переходный слой толщиной $\sim$ 200 nm состоит из чередующихся слоев кубического (3C) и гексагонального (6H) карбида кремния, что установлено микродифракционным анализом. Продемонстрирована возможность получения такой технологией квазисверхрешеток 6H-SiC/3C-SiC и 4H-SiC/3C-SiC.