Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния

Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWHM$_{\omega-\theta}$) пластин варьируется в пределах от 0.7$^\circ$ до 0.8$^\circ$ при толщине слоя 80–100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.