Влияние бета-облучения на фазовые превращения кремния Si-I $\to$ Si-II под индентором

Методом регистрации электрического сопротивления при внедрении индентора в узкую ($d\approx$ 2 $\mu$m) щель между металлическими контактами исследован процесс фазового перехода алмазоподобной кристаллической решетки кремния Si-I в $\beta$-tin структуру Si-II. Обнаружено уменьшение относительной объемной доли металлизированной фазы Si-II, формируемой при внедрении индентора, индуцируемое малодозовым (флюенс $F$ = 3.24 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$) низкоинтенсивным (интенсивность $I$ = 1.8 $\cdot$ 10$^5$ cm$^{-2}$ $\cdot$ s$^{-1}$) бета-облучением.