|
|
Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 4, страницы 16–22
(Mi pjtf8078)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Фотоэлектрические свойства гетероструктур $n$-TiO$_2$/$p$-Co$_{0.7}$Ni$_{0.3}$O
Г. И. Клетоab, А. И. Савчукab, В. З. Цалыйab, В. Г. Юрьевab, И. В. Докторовичab a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
b ЦКБ "Ритм", Черновцы, Украина
Аннотация:
Измерены основные фотоэлектрические параметры пленочных гетероструктур $n$-TiO$_2$/$p$-Co$_{0.7}$Ni$_{0.3}$O, полученных путем последовательного распыления металлических мишеней в окислительной атмосфере. Спектральный диапазон чувствительности гетероструктур находится в границах 225–385 nm при отсутствии фотосигнала в видимой части спектра. Изготовленные структуры могут использоваться в качестве фотосенсоров с высокой спектральной избирательностью.
Поступила в редакцию: 15.08.2013
Образец цитирования:
Г. И. Клето, А. И. Савчук, В. З. Цалый, В. Г. Юрьев, И. В. Докторович, “Фотоэлектрические свойства гетероструктур $n$-TiO$_2$/$p$-Co$_{0.7}$Ni$_{0.3}$O”, Письма в ЖТФ, 40:4 (2014), 16–22; Tech. Phys. Lett., 40:2 (2014), 149–151
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8078 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i4/p16
|
|