Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях

Изучена конвертация приповерхностных областей InGaN в GaN во время прерываний роста. Установлено, что процесс насыщается во времени, развивается на глубину менее 2 nm и протекает сходным образом при наличии и отсутствии водорода в реакторе, однако водород его существенно ускоряет. У структур InGaN/GaN, выращенных с прерываниями роста, обнаружено возникновение дополнительной линии фотолюминесценции с большей длиной волны, чем у аналогичного сплошного слоя InGaN. Показано, что прерывание роста в безводородной атмосфере предпочтительнее для формирования светоизлучающих гетероструктур зеленого диапазона.