Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 9, страницы 48–54 (Mi pjtf8145)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC

В. Н. Бессоловab, Е. В. Коненковаab, С. А. Кукушкинab, А. В. Мясоедовab, А. В. Осиповab, С. Н. Родинab, М. П. Щегловab, Н. А. Феоктистовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1573 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Предложен новый метод синтеза полуполярного нитрида галлия на кремниевой подложке с помощью технологии твердофазной эпитаксии нанокристаллов 3C-SiC. Показано, что применение буферных слоев 3C-SiC и AlN позволяет формировать эпитаксиальные слои полуполярного нитрида галлия с отклонением слоя от полярного положения оси c вюрцитного кристалла на угол 48–51$^\circ$ при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания $\omega_\theta\sim$ 24'. Наблюдавшийся изгиб цилиндрического характера в структуре GaN/AlN/3C-SiC/Si(001) объясняется анизотропной деформацией полуполярного GaN на кремнии.
Поступила в редакцию: 11.12.2013
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2014, Volume 40, Issue 5, Pages 386–388
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785014050046
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. А. Кукушкин, А. В. Мясоедов, А. В. Осипов, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 48–54; Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 386–388
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKonKuk14}
\by В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Мясоедов, А.~В.~Осипов, С.~Н.~Родин, М.~П.~Щеглов, Н.~А.~Феоктистов
\paper Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2014
\vol 40
\issue 9
\pages 48--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8145}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019539}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2014
\vol 40
\issue 5
\pages 386--388
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785014050046}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8145
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i9/p48
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025