Исследование влияния коронного разряда на запись голографических дифракционных решеток в структуре Cu–As$_2$S$_3$

Обнаружен эффект усиления процесса оптической записи во всем видимом диапазоне электромагнитного излучения в структуре Cu–As$_2$S$_3$ с одновременным ее экспонированием и зарядкой в поле отрицательного коронного разряда по сравнению с обычной прямой записью в этой структуре. Показано, что использование отрицательного коронного разряда при записи в этих структурах позволяет увеличить в несколько раз как их голографическую чувствительность, так и дифракционную эффективность записанных голографических дифракционных решеток по сравнению с решетками, полученными при обычной записи. Результаты обсуждаются в рамках известной фотоэлектрической модели.