|
|
Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 11, страницы 45–52
(Mi pjtf8170)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN
А. А. Корякинab, Н. В. Сибиревab, В. Г. Дубровскийab a Санкт-Петербургский Академический университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведено теоретическое исследование начальной стадии роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaN на подложке AlN(0001)/Si(111). Расчеты произведены в рамках модели формирования квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Вычислена поверхностная плотность островков GaN, формирование которых предшествует образованию ННК. Рассчитана плотность ННК GaN как функция потока галлия и времени осаждения при росте методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Поступила в редакцию: 05.02.2014
Образец цитирования:
А. А. Корякин, Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский, “Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN”, Письма в ЖТФ, 40:11 (2014), 45–52; Tech. Phys. Lett., 40:6 (2014), 471–474
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8170 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i11/p45
|
|