Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Исследованы особенности создания невжигаемых омических контактов к двумерному проводящему каналу транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на основе гетероструктур AlGaN/(AlN)/GaN путем осаждения сильнолегированного $n^+$GaN через маску SiO$_2$ методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Разработанная технология позволяет получать удельные сопротивления контактов к двумерному газу до 0.11 $\Omega$ $\cdot$ mm на различных типах нитридных гетероструктур “Ga-face”, что в несколько раз меньше сопротивления традиционных вжигаемых омических контактов.