Взрывная кристаллизация, возникающая в процессе формирования наноразмерной пленочной структуры Se/Ag

Представлены результаты экспериментальных исследований взрывной кристаллизации, возникающей в процессе формирования наноразмерной пленочной структуры Se/Ag. Показано, что взрывная кристаллизация возникает в широком интервале толщин пленок Se 70–280 nm и протекает в узком временном интервале 2.00–4.52 s. Кооперативное действие тепловой энергии фазового превращения Ag$_2$Se и энергии упругих напряжений аморфной пленки Se приводит к развитию взрывной кристаллизации. Установлено, что в зависимости от соотношения толщин пленок Se и Ag в продуктах реакции после взрывной кристаллизации образуются орторомбический Ag$_2$Se с параметрами кристаллической решетки $a$ = 4.333 $\mathring{\mathrm{A}}$, $b$ = 7.062 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 7.764 $\mathring{\mathrm{A}}$ и гексагональный Se ($a$ = 4.3552 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 4.9495 $\mathring{\mathrm{A}}$).