Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 15, страницы 45–49 (Mi pjtf8220)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации

А. А. Лебедевab, В. В. Козловскийab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
PDF полного текста (90 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Определена скорость удаления носителей $(V_d)$ в 3 политипах SiC, выращенного методом сублимации, $p$-типа проводимости при его облучении электронами с энергией 0.9 MeV. На основе известных литературных данных проводится сравнение величины $V_d$ в карбиде кремния при комнатной температуре в зависимости от политипа, типа проводимости и технологии изготовления. Предложена модель, объясняющая различие в значениях величины $V_d$.
Поступила в редакцию: 17.02.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2014, Volume 40, Issue 8, Pages 651–652
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785014080094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации”, Письма в ЖТФ, 40:15 (2014), 45–49; Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 651–652
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebKoz14}
\by А.~А.~Лебедев, В.~В.~Козловский
\paper Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2014
\vol 40
\issue 15
\pages 45--49
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8220}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019614}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2014
\vol 40
\issue 8
\pages 651--652
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785014080094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8220
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i15/p45
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025